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次世代半導体素材GaNの挑戦   貸出可

天野 浩／[著] -- 講談社 -- 2020.4 -- 549.8  (講談社+α新書 825-1C)

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所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
科学産業 /549/Ａ４３/ 0010020310585 一般図書 書架

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テキスト言語 日本語
タイトル１ 次世代半導体素材GaNの挑戦 
副タイトル１ 22世紀の世界を先導する日本の科学技術
著者１ 天野 浩 ／[著]  
出版年 2020.4
出版者 講談社
シリーズ名 講談社+α新書  825-1C
一般件名 半導体 , パワーエレクトロニクス
ページ数 183p
大きさ 18cm
ISBN 4-06-513630-0
NDC分類(10版) 549.8
内容紹介 「良いイノベーション」を生むためにどのような取り組みを行っているか。次世代の半導体素材などの研究を、企業や他大学、国立の研究所と共同で行うノーベル物理学賞受賞者が、その取り組みを紹介する。

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著者紹介

著者紹介１－１ 1960年静岡県生まれ。名古屋大学大学院工学研究科博士後期課程単位取得満期退学。工学博士。同大学教授。2014年、ノーベル物理学賞を受賞。同年、文化勲章を受章。